碳化硅晶片的主要应用领域有LED固体照明和高频率器件。 该材料具有高出传统硅数倍的禁带、漂移速度、击穿电压、热导率、耐高温等优良特性，在高温、高压、高频、大功率

2021年7月5日  本期的智能内参，我们推荐东兴证券的报告《碳化硅产业：已处于爆发前夜，有望引领中国半导体进入黄金时代》，解析碳化硅材料的性质特点、应用范围和市场

2022年3月11日  碳化硅在半导体中存在的主要形式是作为衬底材料，基于其优良的特性，碳化硅衬底的使用极限性能优于 硅衬底，可以满足高温、高压、高频、大功率等条件下的

2022年7月1日  碳化硅 (SiC) 是一种表现出优异特性的材料，其物理和热电特性可以在高温、腐蚀性和辐射环境等恶劣环境中以低能耗运行。 进一步的属性，即。 与硅类似的热氧化

2019年9月25日  硅主要用于制造存储器、处理器、数字电路和模拟电路等传统集成电路芯片。 而碳化硅由于其承受大电压和大电流的能力，特别适合制造大功率器件、微波射频器件和光电器件等。 特别是在功率半导体领

2021年7月21日  碳化硅是卫星通信、高压输变电、轨道交通、电动汽车、通信基站等重要领域的核心材料，尤其是在航天、国防等领域有着不可替代的作用。 据中金企信国际咨询

2023年10月27日  二、行业现状及市场空间 1、全球碳化硅器件市场格局由海外巨头主导 海外企业由于占据先发优势，在技术进展与产能规模上具备一定垄断地位。根据数据，市场份额由海外巨头意法半导体、Wolfspeed、罗姆、英飞凌、三菱电机、安森美等厂商垄断，其中最大的碳化硅器件商为意法半导体，是特斯拉

2019年7月25日  2、碳化硅有什么用？ 以SiC为代表的第三代半导体大功率电力电子器件是目前在电力电子领域发展最快的功率半导体器件之一。碳化硅作为第三代半导体材料的典型代表，也是目前晶体生产技术和器件制

2023年10月27日  碳化硅外延片是指在碳化硅衬底上生长了一层有一定要求的、与衬底晶相同的单晶薄膜（外延层）的碳化硅片。 实际应用中，宽禁带半导体器件几乎都做在外延层上，碳化硅晶片本身只作为衬底。 目前我国已研制成功6英寸SiC外延晶片，且基本实现商业化

2020年12月3日  碳化硅主要的四大应用领域，即功能陶瓷、高级耐火材料、磨料及冶金原料。 二、碳化硅陶瓷的应用举例 表1 碳化硅陶瓷的用途 1碳化硅磨料磨具 碳化硅的硬度很大、可制备成各种磨削用的砂轮、砂纸和磨料，主要用于机械加工行业。 碳化硅的莫氏硬度

2023年12月6日  1、全球碳化硅行业市场规模 碳化硅的优势是其高效率、低能耗和耐高温的特性，这些优点使得碳化硅成为新一代功率器件的理想选择。 在电动汽车、可再生能源和工业自动化等应用的推动下，碳化硅的需求量不断增加。 数据显示，2022年全球碳化硅行业市

2022年9月6日  一文读懂碳化硅产量、良率及进出口 原文标题：2022年中国碳化硅行业现状分析，衬底良率增高「图」 一、中国碳化硅发展历程及分类 1、碳化硅的发展历程 自碳化硅被发现后数十年，发展进程一直较为缓慢。 直到科锐成立并开始碳化硅的商业化，碳化硅

2021年11月7日  碳化硅具备耐高压、耐高温、高频、抗辐射等优良电气特性，突破硅基半导体材料物理限制，是第三代半导体核心材料。 碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化镓射频器件和碳化硅功率器件。 受益于 5G 通信、国防军工、新能源汽车和新能源光伏等领域的发

2021年6月24日  碳化硅（SiC） 主要应用领域 1高频大功率电力电子器件 Schottky diodes 、MOSFET 、JFET 、BJT 、PiN diodes 、IGBT 2光电子器件：主要应用于GaN/SiC 蓝光LED的衬底材料（GaN/SiC）LED 主要性能参数 生长方法 MOCVD 晶体结构 六方 晶格常数

2024年1月22日  碳化硅MOSFET具有高频高效，高耐压，高可靠性。 可以实现节能降耗，小体积，低重量，高功率密度等特性，在新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网等领域具有明显优势。 一 碳化硅MOSFET常见封装TO247 碳化硅MOSFET是一种基于碳化硅半导体材料的场效应

2021年7月21日  今年发布的“‘十四五’规划和2035年远景目标纲要”提出，我国将加速推动以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体新材料新技术产业化进程，催生一批高速成长的新材料企业。 科技日报记者7月18日对业内专家进行采访时发现，他们对我国第三代半导体的发展

2019年9月5日  第三代半导体发展之碳化硅（SiC）篇 在功率半导体发展历史上，功率半导体可以分为三代： 第一代半导体材料：锗、硅等单晶半导体材料，硅拥有11eV的禁带宽度以及氧化后非常稳定的特性。 第二代半

2023年11月27日  在电动汽车领域应用很广泛，主要是电机驱动器、电池快充、逆变器等。SiC的特点和应用 SiC 具有优异的材料和化学特性，高热导率、高击穿电场、高饱和漂移速度、高抗辐射性、高硬度高耐磨性、低本征载流子浓度和高化学惰性，使 SiC 成为高温和恶劣环境条件（高侵蚀性、高腐蚀性环境）的理想

2021年7月21日  科技日报记者7月18日对业内专家进行采访时发现，他们对我国第三代半导体的发展持积极态度，并认为第三代半导体材料或许可为我们摆脱集成电路被动局面、实现芯片技术追赶和超车提供良机。 碳化硅性能优势显著、用途广泛 半导体产业发展至今经历

2021年11月7日  碳化硅衬底根据电阻率划分：半绝缘型碳化硅衬底：指电阻率高于 105Ωcm 的碳化硅衬底，其主要用于制造氮化镓微波射频器件。微波射频器件是无线通讯领域的基础性零部件，中国大力发展 5G 技术推动碳化硅衬底需求释放。 导电型碳化硅衬底：指电阻率在 15~30mΩcm 的碳化硅衬底。

2023年10月30日  SiC碳化硅器件是指以碳化硅为原材料制成的器件，按照电阻性能的不同分为导电型碳化硅功率器件和半绝缘型碳化硅基射频器件。导电型碳化硅功率器件主要是通过在导电型衬底上生长碳化硅外延层，得到碳化硅外延片后进一步加工制成，品种包括肖特基二极管、 MOSFET、IGBT等，主要用于电动汽车

2012年5月29日  碳化硅的主要应用领域 br/2011年01月18日br/ 目前碳化硅的主要应用领域有LED固体照明和高频率器件，未来和笔记本电脑的背景光市场将给碳化硅提供巨大的需求增长。 而由于一些特殊方面的应用，国外碳化硅生产企业对中国进行禁运，而碳化硅晶体

2020年9月30日  碳化硅晶片经外延生长后主要用于制造功率器件、射频器件等分立器件。可广泛应用于新能源汽车、5G通讯、光伏发电、轨道交通、智能电网、航空航天等现代工业领域，在我国“新基建”的各主要领域中发挥重要作用。 功率器件

2021年12月30日  1 碳化硅在电力电子领域应用场景及市场空间 碳化硅功率器件在风力发电、工业电源、航空航天等领域已实现成熟应用。 伴随新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网等产业的快速发展，功率器件的使用需求大幅增加。 根据 IC Insights《2019 年光电子

2019年8月2日  碳化硅外延晶片即以碳化硅单晶作为衬底生长的外延片。 碳化硅外延晶片使用领域、行业：外延晶片主要用于各种分立器件的制作，比如SBD、MOSFET、JFET、BJT、SIT和MESFET等，这些器件广泛应用于各个领域，如白色家电、混合及纯电动汽车、太阳能和风能发电、UPS、马达控制、轨道机车、轮船和智能

2024年3月13日  原标题：碳化硅晶片市场研究，市场规模预计2030年将达到160亿元 与广泛应用于半导体领域的硅片相比，碳化硅晶片（Silicon Carbide Wafer）具有优良的耐热性和耐压性。 SiC单晶片能够显著降低电力控制过程中的能量损失，显著降低能源消耗和环境压力。 它们被

2021年11月7日  碳化硅具备耐高压、耐高温、高频、抗辐射等优良电气特性，突破硅基半导体材料物理限制，是第三代半导体核心材料。 碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化镓射频器件和碳化硅功率器件。 受益于 5G 通信、国防军工、新能源汽车和新能源光伏等领域的发

2024年1月12日  相关报告 碳化硅行业专题报告：高压快充趋势及产业链降本，加速碳化硅产业进展pdf 碳化硅行业专题报告：衬底产能持续扩充，关注渗透加速下的国产化机会pdf 宇环数控研究报告：数控抛磨设备龙头，受益3C复苏和碳化硅高景气度pdf 磨床行业研究：为精加工而生，丝杠、钛合金、碳化硅催化国产

2021年3月17日  报告综述： 新能源与 5G 建设的基石：碳化硅衬底 碳化硅衬底是第三代半导体材料中氮化镓、碳化硅应用的基石。 受技术与工艺水平限制， 氮化镓材料作为衬底实现规模化应用仍面临挑战，其应用主要是以蓝宝石、硅晶片或半 绝缘碳化硅晶片为衬底，通过

2015年1月12日  作为国内碳化硅晶片生产制造的先行者，天科合达打破了国外垄断，填补了国内空白，生产的碳化硅晶片不仅技术成熟，还低于国际同类产品价格

2021年7月3日  01 碳化硅，第三代半导体材料 第三代半导体材料又称宽禁带半导体材料，和传统硅材料主要的区别在禁带宽度上。 禁带宽度是判断一种半导体

2022年4月24日  国内外碳化硅陶瓷材料研究与应用进展 李辰冉;谢志鹏;康国兴;安迪;魏红康;赵林 分享 摘要： 碳化硅陶瓷材料具有良好的耐磨性、导热性、抗氧化性及优异的高温力学性能，被广泛应用于能源环保、化工机械、半导体、国防军工等领域。 然而，由

2023年12月4日  第三代半导体碳化硅的应用场景非常广泛，主要包括但不限于以下领域：电力电子领域：碳化硅因具有高禁带宽 随着电动汽车和充电站对高电压和在高温恶劣环境下工作的要求日益加大，碳化硅（SiC）因其制造和包装成本高昂，推广初期步履蹒跚。

2023年12月20日  目前碳化硅二极管(SBD)、MOSFET已经开始商业化应用。1碳化硅晶圆（裸芯片）： 指碳化硅功率器件集成电路制作所用的晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆；在晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能之超快高频功率器件产品。

2020年12月3日  近几年以碳化硅陶瓷为基的复相陶瓷相继出现，改善了单体材料的韧性和强度。 碳化硅主要的四大应用领域，即功能陶瓷、高级耐火材料、磨料及冶金原料。 二、碳化硅陶瓷的应用举例 表1 碳化硅陶瓷的用途 1碳化硅磨料磨具 碳化硅的硬度很大、可制备成

2024年2月27日  目前市场上的主要产品是N型的，其电阻率处于0015~0030mΩcm的区间内。 可通过在导电型碳化硅基底上制作碳化硅同质外延片来制造肖特基二极管、MOSFET等功率器件，这些器件在新能源汽车、轨道交通和大功率输电变电等多个领域应用。

2024年1月19日  基于碳化硅的半导体具有更高的热导率、更高的电子迁移率和更低的功率损耗。碳化硅二极管和晶体管还可以在更高的频率和温度下工作，而不会影响可靠性。SiC 器件的主要应用，例如肖特基二极管和 FET/MOSFET 晶体管，包括转换器、逆变器、电源、电池

碳化硅晶片的主要应用领域有LED固体照明和高频率器件。该材料具有高出传统硅数倍的禁带、漂移速度、击穿电压、热导率、耐高温等优良特性，在高温、高压、高频、大功率、光电、抗辐射、微波性等电子应用领域和航天、军工、核能等极端环境应用有着不可替代的优势。国内独家碳化硅单晶供应

2021年1月28日  ①海外碳化硅单晶衬底企业主要有Cree、DowCorning、SiCrystal、IIVI、新日铁住金、Norstel等。其中CREE、IIVI等国际龙头企业已开始投资建设8英寸碳化硅晶片生产线。中国企业以天科合达和山东天岳为主的SiC晶片厂商发展速度较快，市占率提升明显。

2020年9月21日  碳化硅晶片主要用于大功率和高频功率 器件：2018 年氮化镓射频器件全球市场规模约 42 亿美元（约 28 亿元人民币），随着 5G 通讯网络的推进，氮化

2023年12月28日  前言 碳化硅作为第三代宽禁带半导体材料的代表，在禁带宽度、击穿电场、热导率、电子饱和速率等指标具有显著优势，可满足现代工业对高功率、高电压、高频率的需求，主要被用于制作高速、高频、大功率及发光电子元器件，碳化硅器件下游应用领域包括电动汽车、光伏发电、轨道交通、智能

2024年3月4日  碳化硅（SiC）功率器件在新能源汽车中的深入应用解析采用多芯片并联的SiC功率模块，会产生较严重的电磁干扰和额外损耗，无法发挥SiC器件的优良性能；SiC功率模块杂散参数较大，可靠性不高。 （2）SiC功率高温封装技术发展滞后。

2023年3月16日  （报告出品方/作者： 中信证券 ，刘海博、李越、李睿鹏）公司概况：优秀的精密激光加工设备一体化供应商 公司是专注于精密激光加工行业的一体化设备供应商。公司主营业务为精密激光加工 设备及激光器的研发、生产、销售，并为客户提供激光设备租赁和激光加工服务。

2022年7月17日  半绝缘型碳化硅衬底指电阻率高于105Ωcm的碳化硅衬底，其主要用于制造氮化镓微波射频器件。微波射频器件是无线通讯领域的基础性零部件，中国大力发展5G技术推动碳化硅衬底需求释放。导电型碳化硅衬底指电阻率在15~30mΩcm的碳化硅衬底。

2022年10月9日  碳化硅在射频、功率器件领域应用广泛，市场增长空间广阔。 根据碳化硅行业 全球龙头厂商 Wolfspeed 的预测，受新能源汽车及发电、电源设备、射频器件等 需求驱动，2026 年碳化硅器件市场规模有望达到 89 亿美元，其中用于新能源汽车和工业、能源的