2024年2月5日  陈小龙长期从事第三代半导体材料碳化硅晶体制备的基础和应用基础研究。20多年来，他带领团队从零开始自主创新，抢占科技制高点，打破国外封锁，实现碳化

2023年11月20日  自1999年以来，陈小龙带领团队从零开始，立足自主创新，开展碳化硅晶体制备的基础和应用基础研究。 经过20多年的科研攻关，陈小龙攻克了晶体扩径这一公

2024年2月3日  陈小龙长期从事第三代半导体材料碳化硅晶体制备的基础和应用基础研究，20多年来，他带领团队从零开始自主创新，抢占科技制高点，打破国外封锁，实现了

专利成果 [1] 陈小龙, 李辉, 王国宾 用于制备3CSiC单晶的方法 PCT/CN2023/, [2] 李辉, 陈小龙, 王国宾, 盛达, 王文军 用于确定导电型碳化硅晶片的硅面和碳面的方法 CN: CNA,

2019年4月11日  陈小龙团队长期从事碳化硅单晶生长研究工作，他告诉《中国科学报》：“由于碳化硅和氮化镓的晶格失配小，碳化硅单晶是氮化镓基LED、肖特基二

2022年4月27日  中科院物理所陈小龙团队8英寸碳化硅单晶研究取得进展 作者： 人工晶体学报 更新时间： 10:10 来源： 人工晶体学报 点击数： 1347 碳化硅(SiC)是一

2019年3月20日  Laboratory of Advanced Materials Structure Analysis (A02) 【学习强国】陈小龙：碳化硅晶圆国产化先锋 2019年3月20 日“科技”频道“一线风采”栏目

2019年3月22日  中国科学院物理研究所陈小龙研究员带领他的团队，长期聚焦于碳化硅晶体生长，走出了一条从基础研究到产业化的自主创新之路，将研究成果进行产业转化，成

2024年1月16日  陈小龙团队：晶圆级立方碳化硅单晶生长取得突破 来源:ictimes 发布时间: 分享至微信 中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心的陈小龙团

2022年11月21日  中国科学院物理研究所先进材料与结构分析实验室陈小龙研究员带领团队攻坚克难20余年，在国内最早开展成果转化，创建了国内第一家碳化硅晶体产业化公

2019年4月11日  中国科学院物理研究所 陈小龙 二十年磨一剑 碳化硅晶体生长难度很大，需要在2300℃以上进行，加上生长过程中化学成分容易偏离，导致许多缺陷的形成，国际上的研究进展一直很缓慢。 直到上世纪九十年代初，美国、德国等在技术上才有所突破，但

陈小龙：国产化碳化硅晶片的开路人 作为第三代半导体材料，碳化硅晶体是新能源汽车、光伏和5G通讯等急需的战略性半导体材料，是材料领域发展最快、国际竞争最激烈的方向之一。 中国科学院物理研究所先进材料与结构分析实验室陈小龙研究员带领团队

2023年12月14日  当前，粤港澳大湾区以集成电路研发制造为核心，正加快布局发展半导体产业。为更好推动大湾区半导体产业发展，大湾区科学论坛秘书处特邀中国科学院物理研究所研究员陈小龙主讲第七期“灵山科学大讲堂”，围绕“宽禁带半导体碳化硅材料研究进展和产业化”进行主题分享。

2022年11月21日  陈小龙因在碳化硅研究方面取得的突出成就而获得中国科学院科技促进发展奖和中国发明协会发明创业特等奖。 中国科学院物理研究所陈小龙研究员 陈小龙研究员将带领团队继续专注于提高碳化硅晶体的质量，降低成本，实现 8 英寸碳化硅衬底规模化生产。

2024年1月15日  碳化硅(SiC)具有宽带隙、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高热导率等优异性能，在新能源汽车、光伏和5G通讯等领域具有重要的应用。与目前应用广泛的4HSiC相比，立方SiC(3CSiC)具有更高的载流子迁移率(24倍)、低的界面缺陷态密度(低1个数量

2023年11月20日  自1999年以来，陈小龙带领团队从零开始，立足自主创新，开展碳化硅晶体制备的基础和应用基础研究。 经过20多年的科研攻关，陈小龙攻克了晶体扩径这一公认的难题，稳定生长出高质量的2至8英寸碳化硅晶体，解决了产生相变、微管等致命缺陷的问题。

2024年2月4日  陈小龙：20余年坚守创新 “开路”国产碳化硅 2024204 “要么做真正原创性的基础研究，要么做意义重大、促进产业发展的研究，不能做一些两不靠的工作，这些意义不大，我们的理想是两者兼顾。 ”这是中国科学院物理研究所研究员陈小龙一直以来所坚守的

2017年11月23日  小龙碳化硅废渣联系 icedu关于申请利用冶炼废渣生产碳化硅的 立 项 报 告皋兰县经贸委： 皋兰县经贸委： 我公司认真贯彻国家、省 文档资料共享网内容来自网络，如有侵犯请联系客服 。长期大量现金采购6080#沉池。地沟料。滤饼。废砂浆。光伏厂

2024年2月5日  为解决晶圆级3CSiC单晶生长的技术难题，中国科学院物理研究所的陈小龙团队创新地提出了通过调控熔体表面张力，在异质籽晶上较同质籽晶优先形核和生长的学术思想，利用顶部籽晶溶液生长法 (TSSG)在国际上首次成功生长了24英寸、高质量3CSiC单晶

2020年2月25日  陈小龙：国产碳化硅晶片产业的开拓者 [导读] 陈小龙带领的科研团队和天科合达专注于提高碳化硅晶体的质量，以及大尺寸碳化硅晶体的研发，将先进的碳化硅晶体生长和加工技术产业化，大规模生产和销售具有自主知识产权的碳化硅晶片。 中国粉体网讯 陈

2017年8月22日  许多工业废渣都是铝硅系氧化物，而al2o3和sio2又是常用陶瓷的生产原料，因此，铝硅系工业废渣适合制备氧化铝碳化硅复合多孔陶瓷。 其中像粉煤灰含有大量的铝硅酸盐，还有一定量的石英和氧化钙等，可用来制作莫来石致密和多孔陶瓷、赛隆陶瓷等。

2019年3月25日  中国科学院物理研究所陈小龙研究员带领他的团队，长期聚焦于碳化硅晶体生长，走出了一条从基础研究到产业化的自主创新之路，将研究成果进行产业转化，成功打造出一家国内碳化硅晶圆的龙头企业，打破了国外的技术垄断，成为国内碳化硅半导体晶圆产业

碳化硅晶体是新能源汽车、光伏和 5G 通讯等领域亟需的战略性半导体材料，是材料领域发展最快、国际竞争最激烈的方向之一。 但其晶体构型多，易相变；生长温度高（ 2300 ℃ ），温场难控制，易产生缺陷；无法采用传统

2023年12月27日  近日，中国科学院党组公布了2023年中国科学院年度人物和年度团队名单，共有8个个人和团队获奖。 其中物理所陈小龙研究员获得“年度创新人物”。 作为第三代半导体材料，碳化硅晶体是新能源汽车、光伏和 5G 通讯等急需的战略性半导体材料，是材料领

2024年1月13日  陈小龙团队：晶圆级立方碳化硅单晶生长取得突破性进展 [导读] 该团队利用高温液相法，实现了相同过饱和度条件下3CSiC的Gibbs自由能更低的要求，抑制了生长过程中的相变，在国际上首次生长出了直径24英寸、厚度410mm、单一晶型的3CSiC单晶 中

2024年2月5日  EEM 中国科学院物理研究所陈小龙教授：高品质晶圆级立方碳化硅单晶 本文来源于Energy Environmental Materials，欢迎浏览！ 亮点 1提出了通过调控熔体表面张力，在异质籽晶上较同质籽晶优先形核和生长的学术思想，实现了立方碳化硅 (3CSiC)在六方籽晶 (4HSiC)的

2023年12月22日  自1999年以来，陈小龙带领团队从零开始，立足自主创新，开展碳化硅晶体制备的基础和应用基础研究。 经过20多年的科研攻关，陈小龙攻克了晶体扩径这一公认的难题，稳定生长出高质量的2至8英寸碳化硅晶体，解决了产生相变、微管等致命缺陷的问题。

2024年2月5日  对于碳化硅晶体制备，生长方法和原理就是本源。”陈小龙团队成员、中国科学院物理研究所研究员郭建刚告诉《中国科学报》。历时4年，陈小龙团队在已往研究基础上，创新性地提出了调控固液界面能，在异质籽晶上较同质籽晶优先形核和生长的学术思想。

2019年3月23日  陈小龙带领他的团队，经过不懈努力，不畏失败，相继攻克了2英寸、4英寸和6英寸碳化硅晶圆的基础问题和关键技术，并持续开发了4代具有自主知识产权的晶体生长炉。如今他们研发的碳化硅晶圆已进入国际市场，支持了国内碳化硅产业链的全面崛起。

2023年1月24日  多年来，陈小龙带领团队立足自主研发，从基础研究到应用研究，突破了生长设备、高质量碳化硅晶体生长和加工等关键技术，实现了整套技术路线的自主可控。 通过多年不懈攻关，科研团队通过气相法将碳化硅晶体直径从小于10毫米不断增大到2英寸、4英

2024年2月5日  ”陈小龙欣慰地说，“经过多年的努力，外国已经‘卡’不住我们的脖子了。” “尺寸越来越大，缺陷越来越少，质量越来越好”是陈小龙的梦想。2017年，陈小龙带领团队在松山湖材料实验室开展碳化硅同质外延技术的研究，为碳化硅器件的制备提供外延片。

2023年1月22日  多年来，陈小龙带领团队立足自主研发，从基础研究到应用研究，突破了生长设备、高质量碳化硅晶体生长和加工等关键技术，实现了整套技术路线的自主可控。 中国科学院物理研究所研究员 陈小龙：在2022年上半年，

2023年5月8日  近日，中科院物理所陈小龙团队又一次公布他们在SiC方面的研发新成果。该团队通过在4HSiC村底上生长3CSiC单晶，技术成果超出了以往理论预期,通过这项技术，他们能够持续稳定地生长高质量和大尺寸的3CSiC晶体——直径为2~4英寸，厚度为40~10毫米。

2011年5月24日  碳化硅吧 关注： 5,291 贴子： 37,683 看贴 吧主推荐 视频 游戏 1 回复贴，共 1 页 返回碳化硅吧 求购碳素厂 碳化硅厂 废边皮 废渣 联系 只看楼主

2019年4月11日  陈小龙：做国产碳化硅晶片产业探路者 从2英寸、3英寸、4英寸到如今的6英寸碳化硅晶片，中国科学院物理研究所科研团队精心打磨了20多年，终于

2024年1月15日  碳化硅(SiC)具有宽带隙、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高热导率等优异性能，在新能源汽车、光伏和5G通讯等领域具有重要的应用。 与目前应用广泛的4HSiC相比，立方SiC(3CSiC)具有更高的载流子迁移率(24倍)、低的界面缺陷态密度(低1个数量级)和高的电子亲和势(37 eV)。

2021年3月1日  Laboratory of Advanced Materials Structure Analysis (A02) 新闻 【北京电视台】《启航“十四五”，科技来“添翼”》“国产碳化硅晶片的发展之路” 2021年3月1日，BTV 新闻的《启航“十四五”，科技来“添翼”》系列片中第一集“国产碳化硅晶片的发展之

2024年3月14日  陈小龙长期从事第三代半导体材料碳化硅晶体制备的基础和应用基础研究，20 多年来，他带领团队从零开始自主创新，抢占科技制高点，打破国外封锁，实现了国产化。 2023年底，陈小龙带领团队另辟蹊径，实现了晶圆级立方碳化硅单晶生长的新

2019年3月20日  Laboratory of Advanced Materials Structure Analysis (A02) 【学习强国】陈小龙：碳化硅晶圆国产化先锋 2019年3月20 日“科技”频道“一线风采”栏目以“陈小龙:碳化硅晶圆国产化先锋”为题，报道了陈小龙研究员的先进事迹。 在半导体材料领域，一般将硅、锗等

2024年2月4日  克!最轻头戴式荧光显微镜问世 记者刁雯蕙)中国科学技术大学、中圳先进技术研究院和深圳理工大学团队合作,开发了目前世界上最轻的的超紧凑头

2019年4月9日  陈小龙带领他的团队，经过不懈努力，不畏失败，相继攻克了2英寸、4英寸和6英寸碳化硅晶圆的基础问题和关键技术，并持续开发了4代具有自主知识产权的晶体生长炉。如今他们研发的碳化硅晶圆已进入国际市场，支持了国内碳化硅产业链的全面崛起。

2023年2月8日  陈小龙：整个碳化硅宽禁带半导体，和国际上最先进的水平还是有些差距的，在晶圆方面应该有23年的差距，外延方面，研究本身差距不大，但是产业化方面会有一些差距，良率不如人家高。

2024年1月13日  陈小龙团队：晶圆级立方碳化硅单晶生长取得突破性进展 中国粉体网讯 碳化硅 (SiC)具有宽带隙、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高热导率等优异性能，在新能源汽车、光伏和5G通讯等领域具有重要的应用。 与目前应用广泛的4HSiC相比，立

2024年2月3日  陈小龙长期从事第三代半导体材料碳化硅晶体制备的基础和应用基础研究，20多年来，他带领团队从零开始自主创新，抢占科技制高点，打破国外封锁，实现了国产化。 2023年底，陈小龙带领团队另辟蹊径，实现了晶圆级立方碳化硅单晶生长的新突破，它区

2015年1月13日  从2英寸、3英寸、4英寸到如今的6英寸碳化硅单晶衬底，陈小龙团队花了10多年时间，在国内率先实现了碳化硅单晶衬底自主研发和产业化。 不久前

2023年1月22日  Laboratory of Advanced Materials Structure Analysis (A02) 新闻 【央视新闻直播间】科技强国在路上丨从基础到应用 碳化硅晶体研制获突破 2023 年1月22日，《新闻直播间》“科技强国在路上 从基6础到应用 碳化硅晶体研制获突破”报道了陈小龙研究员研发的

2024年2月5日  陈小龙长期从事第三代半导体材料碳化硅晶体制备的基础和应用基础研究。 20多年来，他带领团队从零开始自主创新，抢占科技制高点，打破国外

2023年1月22日  Laboratory of Advanced Materials Structure Analysis (A02) 新闻 【央视新闻直播间】科技强国在路上丨从基础到应用 碳化硅晶体研制获突破 2023 年1月22日，《新闻直播间》“科技强国在路上 从基6础到应用 碳化硅晶体研制获突破”报道了陈小龙研究员研发的

2020年2月25日  陈小龙：国产碳化硅晶片产业的开拓者 [导读] 陈小龙带领的科研团队和天科合达专注于提高碳化硅晶体的质量，以及大尺寸碳化硅晶体的研发，将先进的碳化硅晶体生长和加工技术产业化，大规模生产和销售具有自主知识产权的碳化硅晶片。 中国粉体网讯 陈

2022年1月15日  技术特征： 1一种利用碳化硅废渣冶炼富锰渣的方法，其特征在于，将sic废渣、焦炭及锰矿石按预定比例加入高炉中，在≥1600℃的高温下，进行选择性还原反应，收集所述高炉的炉缸上部的渣即为富锰渣。 2如权利要求1所述的利用碳化硅废渣冶炼富锰渣的方法，其特征在于，所述sic废渣中，sic的