2024年1月10日  本文介绍了用于生长单晶的高纯碳化硅粉料的合成方法，主要有CVD法和改进的自蔓延法。文章还分析了合成温度、硅粉与碳粉形貌、合成压强、反应时间等工艺

2020年3月24日  碳化硅粉体合成设备用于制备生长碳化硅单晶所需的碳化硅粉体，高质量的碳化硅粉体在后续的碳化硅生长中对晶体质量有重要作用。 碳化硅粉体合成采用高纯碳

2023年5月4日  碳化硅是一种半导体，在自然界中以极其罕见的矿物莫桑石的形式存在。 自1893年以来已经被大规模生产为粉末和晶体，用作磨料等。 在C、N、B等非氧化物高技

2017年11月13日  一、碳化硅粉体的制备方法 碳化硅粉体的制备方法，既有传统的固相反应法，又有最新的溶胶凝胶（solgel）法、激光法、等离子法，本文从大体上按气、固、

2021年4月23日  SiC粉体是PVT法生长SiC单晶的原料,其纯度会直接影响SiC单晶的杂质含量,从而影响SiC单晶的电学性质,其中生长高质量的半绝缘SiC单晶更是直接受限于SiC粉体

2021年11月10日  1、Si C粉体：按一定配比将高纯硅粉和高纯碳粉混合，在2000℃以上的高温下反应合成碳化硅颗粒，再经过破碎、清洗等加工程序，就可以得到满足晶体生长要

2018年5月22日  中国粉体网讯 碳化硅（SiC）是用 石英 砂、石油焦（或煤焦）、木屑为原料通过电阻炉高温冶炼而成的，具有化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好的优点；其莫氏硬度为95级，通常有黑碳化

是指利用JZFZ设备来进行超细粉碎分级的微米级碳化硅粉体。碳化硅微粉主要为1200#和1500#为主，由于碳化硅微粉主要用于磨料行业，所以对微粉的分级有特殊要求，微粉中不能有大颗粒出现，所以为达国际和国内产品要求，

2023年11月23日  2、碳化硅粉体化学改性方法 化学改性是指利用有机物分子中的官能团与无机颗粒表面发生化学吸附或通过与颗粒表面发生化学键合反应对颗粒表面进行包覆，使颗粒表面有机化。 根据改性的手段和效果可以将化学改性方法分为：表面酸洗提纯、表面吸附

2024年3月27日  贵强碳化硅粉体材料（东海）有限公司法定代表人为阮秀春，阮秀春担任执行董事兼总经理，王国恩担任监事。 3、知识产权 贵强碳化硅粉体材料（东海）有限公司在碳化硅、硅微粉加工；碳化硅、硅微粉销售（经营范围中涉及前置许可的项目除外）。

2020年1月9日  西安博尔新材料有限责任公司 是一家专门从事高品质碳化硅（SiC）微粉和晶须及其下游制品等研发、生产、销售的国家级高新技术企业，自主发明实现工业化生产立方碳化硅（βSiC）微粉和晶须的专业企业。 总投资186亿元，生产的立方碳化硅（βSiC）等

2021年11月10日  碳化硅产业链主要包含粉体 、单晶材料等环节。 1、Si C粉体：按一定配比将高纯硅粉和高纯碳粉混合，在2000℃以上的高温下反应合成碳化硅颗粒，再经过破碎、清洗等加工程序，就可以得到满足晶体生长要求的高纯度碳化硅微粉原料

3 天之前  2024 碳化硅“卷”出新高度 [导读] 2024年碳化硅有望大规模放量，国内外厂商在这条赛道上也卷到极致。 中国粉体网讯 2023年碳化硅打的火热，国外合作扩产，国内项目“大乱斗”，2024年是关键的一年，面对需求端新能源汽车+光伏上量与供给端良率突破，2024年

2020年8月21日  碳化硅粉体合成采用高纯碳粉和硅粉直接反应，通过高温合成的方法生成。 碳化硅粉体合成设备主要技术难点在于高温高真空密封与控制、真空室水冷、真空及测量系统、电气控制系统、粉体合成坩埚加热与耦合技术。 当前国外主要厂商包括Cree、Aymont等

2023年5月4日  碳化硅粗料已能大量供应，不能算高新技术产品，而技术含量极高 的纳米级碳化硅粉体 的应用短时间不可能形成规模经济。⑴ 作为磨料，可用来做磨具，如砂轮、油石、磨头、砂瓦类等。⑵ 作为冶金脱氧剂和耐高温材料。⑶ 高纯度的单晶，可

2023年3月24日  COMPANY PROFILE 内蒙古海特华材科技有限公司致力于研发和生产高品质碳化硅粉体原料，主要产品有碳化硅纳米粉体和高纯碳化硅微米粉体，技术依托国内知名高校哈尔滨工业大学，技术团队实力雄厚，拥有一批极具创造力的中青年科研骨干，经过多年积

2022年3月2日  图 1 碳化硅粉体的粒度分布 图 2 碳化硅粉体形貌 将样条 放 入 真 空 烧 结 炉 中 进 行 脱 脂 烧 结, 以1 ℃/min 的升温速率升温至 600 ℃ ,保温 0 5 h,之后以 10 ℃/min 的升温速率升温至 1 650 ℃ ,保温 0 5 h后随炉冷却,完成脱脂烧结。

2016年9月22日  否则会把粉体颗粒破碎，导致颗粒整形失败。通过调整研磨工艺参数，使碳化硅粉体 颗粒在磨机里发生软磨擦，把颗粒的不规则部分研磨掉。 图 2 碳化硅整形前后的SEM图 （ 洛阳启星供图 ） 常用的整形工艺设备有：齿传动卧式球磨机

2020年11月20日  可以根据要求提供不同粒度和纯度的碳化硅粉末 产品应用 1改性高强度尼龙材料：纳米SiC粉体在高分子复合材料中相容性好、分散性好，和基体结合性好，改性后高强度尼龙合金抗拉强度比普通PA6提

碳化硅具有强度大、硬度高、弹性模量大、耐磨性好、导热性强和耐腐蚀性好等优异性能，被广泛地应用于磨料磨具、陶瓷、冶金、半导体、耐火材料等领域。常用的制备碳化硅粉体方法有碳热还原法、机械粉碎法、溶胶–凝胶法、化学气相沉积法和等离子体气相合成法等等。

2021年4月23日  因此,合成高纯的SiC粉体是PVT法生长高质量SiC单晶的关键。 本文主要介绍了高纯SiC粉体的合成方法及研究现状,重点对气相法和固相法合成高纯SiC粉体的优缺点进行了评述,并提出了今后高纯SiC粉体合成的发展方向。 关键词: 单晶, 高纯, SiC粉体, 半导体,

2023年12月6日  1、全球碳化硅行业市场规模 碳化硅的优势是其高效率、低能耗和耐高温的特性，这些优点使得碳化硅成为新一代功率器件的理想选择。 在电动汽车、可再生能源和工业自动化等应用的推动下，碳化硅的需求量不断增加。 数据显示，2022年全球碳化硅行业市

为加强碳化硅陶瓷行业上下游交流联动，艾邦建有碳化硅陶瓷产业群，欢迎产业链上下游企业扫码加入。 碳化硅粉体主要类型有：碳化硅陶瓷件超高纯粉体、第三代半导体碳化硅单晶专用的多晶粉体（包括导电型和半绝缘型），还有热管理材料导热填料。

2024年3月11日  碳化硅（SIC）单晶生长用高纯碳化硅（SIC）粉体的详解随着科学技术的飞速发展，半导体材料的革新速度也进一步加快。继以Si 为代表的第一代半导体和以GaAs 为代表的第二代半导体之后，以 SiC 为代表的第三代宽禁带半导体越来越受到人们的关注。

2022年10月31日  SiC（碳化硅粉）工程陶瓷因其具有耐高温、抗腐蚀、耐磨损等优异性能，在冶金、化工、航空航天等领域备受青睐。其优良性能的获得很大程度上依赖于烧结体显微结构的精细化。而烧结体的显微结构与原料颗粒的大小、形

2023年10月8日  中国平煤神马电子级碳化硅粉体 项目（一期）从今年 6 月 20 日开工建设到 9 月 21 日试生产，仅用时 90 天，创出了业内同类项目建设速度的新纪录。该项目集聚中国平煤神马产业优势，上游利用煤、焦炉煤气制备高纯氢、针状焦、电子硅、区熔硅

2024年3月7日  ① 凡本网注明"来源：中国粉体网"的所有作品，版权均属于中国粉体网，未经本网授权不得转载、摘编或利用其它方式使用。已获本网授权的作品，应在授权范围内使用，并注明"来源：中国粉体网"。违者本网将追究相关法律责任。

2010年11月30日  因而对碳化硅和烧结助剂粉体来说它们在pH=1012附近可以通过静电排斥来在水溶液中实现最佳分散。 由图l比可知，当硅溶胶存在时，各粉体的Zeta电位均有降低，且在pH=10左右最低，这说明硅溶胶的存在对各粉体均有明显的分散作用，且它们实现最佳分散的pH条件应该在pH=10附近。

2024年3月24日  摘要：以低品位碳化硅粗粉为原料,通过球磨工艺制备高性能超细碳化硅粉体,研究球磨时间、球料质量比、转速等球磨参数对碳化硅粉体微观结构及性能的影响。 结果表明:随着球磨时间、球料质量比、转速的增加,碳化硅粉体的粒度逐渐减小,粉体振实密度不断

碳化硅粉体清洗是保证产品质量的重要环节，采用合适的清洗工艺能够有效去除表面污染物和杂质，提高产品的质量和性能。 在实际应用中，应根据碳化硅粉体的特性和清洗要求选择合适的工艺，并进行相应的后处理，以确保产品达到预期的要求。

2023年6月21日  中国粉体网讯 碳化硅（SiC）作为重要的第三代半导体材料之一，在高温、高频、高功率、抗辐射等方面具有优秀的性能。SiC基器件已经在军事、民事、航空航天等多领域得到了广泛应用，是各国科学技术竞争的重点领域。SiC衬底晶片作为SiC产业链的基石有着至关重要的地位。

2023年11月23日  2、碳化硅粉体化学改性方法 化学改性是指利用有机物分子中的官能团与无机颗粒表面发生化学吸附或通过与颗粒表面发生化学键合反应对颗粒表面进行包覆，使颗粒表面有机化。 根据改性的手段和效果可以将化学改性方法分为：表面酸洗提纯、表面吸附

2023年2月9日  虽然球形碳化硅粉体 好处不少，但其制备难度也是相当的大呢，下文小编整理一些文献资料以供大家参考。1、专利文件JPA球状α型碳化硅及其制造方法、碳化硅烧结体或有机树脂复合体，中提到了一种直径为5~60μm的球形α型结晶碳化硅

2022年8月25日  在材料方面： 发明了高增材适应性粉体制备方法（图 1 ），实现了粘结剂均匀包覆粒料、纤维粉体的制备【中国发明专利 ZL 31，中国发明专利 ZL 11，中国发明专利 ZL 15 】；提出了高效机械混合碳化硅颗粒、

摘要： 以低品位碳化硅粗粉为原料,通过球磨工艺制备高性能超细碳化硅粉体,研究球磨时间,球料质量比,转速等球磨参数对碳化硅粉体微观结构及性能的影响结果表明:随着球磨时间,球料质量比,转速的增加,碳化硅粉体的粒度逐渐减小,粉体振实密度不断减小,但是

中文摘要 碳化硅(SiC)以其宽带隙、高临界击穿场强、高热导率、高载流子饱和迁移率等优点,被认为是目前较具发展前景的半导体材料之一近年来,物理气相传输(PVT)法在制备大尺寸、高质量SiC单晶衬底方面取得了重大突破,进一步推动了SiC在高压、高频、高温电子器件领域的应用SiC粉体是PVT法生长SiC

碳化硅粉生产工艺 碳化硅粉的生产工艺通常包括石墨和二氧化硅的混合、烧结和研磨等步骤。 1 混合 将石墨和二氧化硅按照一定比例精细混合，确保二者充分接触和反应。 在混合过程中，可以加入一定的添加剂，如粘结剂和助剂，以提高反应效率和产品

摘要点击次数: 全文下载次数: 中文摘要: 对碳化硅表面进行化学镀镍,研究了镀液的 pH 值对镀速、镀层组织及形貌的影响。 结果表明:镀液 pH 值低于 8 5 时,无反应发生,粉体未镀上镍;pH 值为 10 ~ 11 时,粉体的增重接近理论值,XRD 图谱中的镍衍射峰较强,镀层完全覆盖基体;pH 值高于 11 时,随着 pH 值的升高

2022年7月17日  碳化硅（SiC）行业分析报告：碳化硅(SiC)是一种无机物，其是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料通过电阻炉高温冶炼而成。目前已发现的SiC同质异型晶体结构有200多种，其中六方结构的4H型SiC(4HSiC)具有高临界

2020年12月7日  碳化硅粉末制备的研究现状 SiC粉末制作方式可以分为机械粉碎法，液相、气相合成法。 机械粉碎法还包括行星球磨机，砂磨机，气流法等。 液相合成法包含沉淀法，溶胶凝胶法等。 气相合成法包含物理、化学气相合成法等。

2019年1月18日  39页PPT了解碳化硅粉体的制备与表面改性 来源：中国粉体网 平安 13372人阅读 标签 碳化硅 粉体 制备 改性 [导读] 碳化硅具有α和β两种晶体，，当温度低于1600℃时，反应产物以βSiC形式存在；当温度高于1600℃时βSiC逐渐转变成αSiC的各

3 小时之前  中国粉体网讯 当前，从光伏到新能源汽车，碳化硅下游市场需求旺盛，特别是随着电动汽车和新能源需求的持续增长，对SiC材料的需求呈现出井喷式增长的态势。随着SiC热度高涨，SiC产业6英寸向8英寸转型趋势加速，国际方面8英寸晶圆制造已迈向量产前夕，国产厂商方面则有更多厂家具备量产能力

2024年2月19日  中化 新网讯 9月21日，中国平煤神马集团中宜创芯公司年产2000吨电子级碳化硅粉体项目试生产启动，填补河南省第三代电子半导体产业空白。 碳化硅作为第三代半导体材料的重要基础材料，是国家战略性新兴产业，具有高禁带宽度、高电导率、高热导率等优良性能，适合于制作高温、高频、大功率