2024年2月18日  01 碳化硅扩产进行时 据集邦化合物半导体不完全统计，2023年国内共有近40项SiC相关扩产项目启动，累计投入近900亿元。 其中，衬底是碳化硅产业链中价值

2024年2月18日  东莞南方半导体科技有限公司 品质主管 从SiC衬底、外延、芯片到模块,涉及单晶、切磨抛、外延、离子注入、热处理等关键装备,随着整体市场的蓬勃发展,设备需

2024年3月22日  PVA TePla亮相SEMICONChina2024 “作为PVA TePla在华打造的首款国产碳化硅晶体生长设备，‘SiCN’旨在帮助我们更好地满足本土化需求，为中国市场提供成熟

2024年3月22日  PVA TePla亮相SEMICONChina2024 “作为PVA TePla在华打造的首款国产碳化硅晶体生长设备，‘SiCN’旨在帮助我们更好地满足本土化需求，为中国市场提供成熟

2022年12月15日  环球晶董事长徐秀兰也在6月21日举办的股东会上表示，环球晶决定新增制造设备项目，规划自行设计生产碳化硅长晶炉设备，以强化产品的可控因素。 徐秀兰还

苏州优晶半导体科技股份有限公司是一家专注于大尺寸（6英寸及以上）导电型碳化硅晶体生长设备研发、生产及销售的高新技术企业。 公司自2014年开始研发电阻法碳化硅生长设

2023年2月27日  国内碳化硅IDM厂商三安光电，衬底厂商天岳先进、露笑科技、东尼电子、北京天科，器件厂商士兰微、华润微电子、燕东微电子等加速扩产，而设备是决定各厂

2020年10月21日  碳化硅粉料合成设备 用于制备生长碳化硅单晶所需的碳化硅粉料,高质量的碳化硅粉料在后续的碳化硅生长中对晶体质量有重要作用。 主要技术难点：高温高真空密封与控制、真空室水冷、真空及测量系统、电

2023年2月26日  设备是决定各厂商产能上限的决定性因素。 碳化硅产业资本开支加速，供应链安全可控助力国产碳化硅设备厂商突围 碳化硅晶圆和器件的制备基本工艺流程同硅基

2023年3月13日  晶体制备 由于物理的特性，碳化硅材料拥有很高的硬度，目前仅次于金刚石，因此在生产上势必要在高温与高压的条件下才能生产。 以PVT法为例，碳化硅晶体制备面临以下困难： 温场控制困难、生产速度

2020年6月10日  碳化硅是用天然硅石、碳、木屑、工业盐作基本合成原料，在电阻炉中加热反应合成。 其中加入木屑是为了使块状混合物在高温下形成多孔性，便于反应产生的大量气体及挥发物从中排除，避免发生爆炸，因为合成IT碳化硅，将会生产约14t的一氧化碳 (CO

中国，上海—2024年3月20日，半导体行业盛会 SEMICON China 2024启幕，全球高端半导体设备制造商德国PVA TePla集团再次亮相，并向行业展示其最新打造的国产碳化硅晶体生长设备“SiCN”。该设备专为中国市场定制，

2010年6月21日  威海山西碎石机,碳化硅素生产设备: 好，碳化硅素生产设备。 烟台破碎机设备性能，威海山西碎石机，微波在化工行业的设备主要应用于木材玻璃纤维化工原材料草酸钴行维素甘露醇氢氧化镍钴酸锂石墨炭刷碳化硅二水氯化钙活化碳等的粉状与颗粒状的干燥;微波催化反应有机合成反应微波马弗炉

苏州优晶半导体科技股份有限公司是一家专注于大尺寸（6英寸及以上）导电型碳化硅晶体生长设备研发、生产及销售的高新技术企业。 公司经多年努力研发电阻法碳化硅晶体生长设备及工艺，于2019年成功研制出6英寸电阻法碳化硅单晶生长设备，经持续工艺优化，目前已推出至第四代机型⸺UKING ERH

2024年1月24日  碳化硅器件制造则与设备国产化进程息息相关，设备需求主要包括高温离子注入机、高温退火炉、SiC减薄设备、背面金属沉积设备、背面激光退火设备、SiC衬底和外延片表面缺陷检测和计量。 近几年是国产设备厂商的黄金发展3年，我国上述设备

2023年7月17日  设备投资额：2023 年 2 月，东莞天域获得近 12 亿元融资用于碳化硅外延产线的 扩产（新增产能 100 万片/年的 6 英寸/8 英寸碳化硅外延晶片生产线）。 因此，我 们假设碳化硅外延设备的投资额为 12 亿元/10 万片/年。

2024年3月28日  作为全球高端半导体设备制造商，来自德国的PVA TePla同样亮相本次展会，并对外展示旗下最新产品——首款国产碳化硅晶体生长设备“SiCN”。 专为

烧结设备的主要考虑因素是温度控制和反应效率。高温烧结炉具备良好的温度控制能力和较大的烧结空间，可满足碳化硅粉的生产需求。 3 研磨设备 研磨设备的选型应考虑研磨效率和产品颗粒大小的控制。常用的研磨设备有球磨机、研磨砂轮和超细磨机等。

2024年2月18日  半导体碳化硅 (SiC) 关键设备和材料技术进展的详解； 从SiC衬底、外延、芯片到模块,涉及单晶、切磨抛、外延、离子注入、热处理等关键装备,随着整体市场的蓬勃发展,设备需求迎来了机遇期。 一、SiC 单晶生长设备 SiC PVT生长设备是国产化较高的设备,

2023年7月17日  半导体硅片生产 工序流程与光伏硅片相似，但不同之处在于： 1）光伏长晶炉在整线中价值量占比超过 80%，而半导体硅片设备中单晶炉、切磨抛 设备、外延炉在整线中价值量占比均较高； 2）由于技术壁垒较高，半导体硅片单台价值量远高于光伏。 长晶工

2023年2月16日  半导体与半导体生产设备行业：碳化硅，把握能源升级+技术迭代的成长机遇（33页）pdf 【报告导读】近年来，随着 5G、新能源等高频、大功率射频及电力电子需求的快速增长，硅基半导体器件的物理极限瓶颈逐渐凸显，如何在提升功率的同时限制体积、发

2022年3月2日  1 SiC 碳化硅：产业化黄金时代已来；衬底为产业链核心 11 SiC 特点：第三代半导体之星，高压、高功率应用场景下性能优越 半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料。 核心分为以下三代： 1) 第一代元素半导体材料：硅（Si）和锗 (Ge)；为半

2021年12月24日  如赵争鸣教授强调的那样，SiC器件的快速发展将经历从理想优势到应用效益的转变，人们先是期待获得高频、高压、高温等优异的特性，也得到了一些好处，效率提高很多，但也发现了大量问题，在实际现场大规模使用SiC MOSFET仍处在一个两难的阶段。

2023年2月26日  《工业母机、碳化硅设备国产化再迎 利好—行业周报》2023212 《制造业基础核心部件、底层软件高 端自主化战略意义提升—行业点评报 告》202327 证 关注碳化硅设备国产化突破和加速 ——行业周报 孟鹏飞（分析师） 熊亚威（分析师）

2013年11月28日  碳化硅生产设备价格多少还有碳化硅加工设备厂家哪些?好搜问答1个回答提问时间：2013年11月28日答案：碳化硅生产设备一般是磨粉机等产品,价格不仅跟碳化硅加工设备厂家有关,而且有型号种类有关。

一种研磨设备中碳化硅研磨桶的制造方法2说明书专。如果您想购买此、获得商业授权和技术合作，请联系客服说明书：技术领域本发明涉及一种研磨设备中碳化硅研磨桶的制造方法，属于碳化硅制品技术领域。

上海德素金属表面处理有限公司可以为您提供专业的NI（镍）P（磷）B（硼）部件加工（表面处理,NI(镍)P（磷）部件加工,NIPSIC（碳化硅）部件加工,NI（镍）P（磷）ZN（黑色镀膜）部件加工,化学镀镍,NIPPTFE（铁氟龙特氟龙）部件加工系列产品，质量

2023年12月5日  碳化硅产业链主要由衬底、外延、器件、应用等环节组成。碳化硅晶片作为半导体衬底材料，根据电阻率不同可分为导电型、半绝缘型。导电型衬底可用于生长碳化硅外延片，制成耐高温、耐高压的碳化硅二极管、碳化硅MOSFET等功率器件，应用于新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网、航空

碳化硅化学气相沉积外延设备纳设智能官方网站碳化硅外延设备属半导体设备领域，占据第三代半导体产业链上游关键环节。我司碳化硅外延设备采用自主创新的结构设计，同时兼容6英寸、4英寸外延片生长，是一款工艺指标优异、耗材成本低、维护频率低的中国首台完全自主创新的碳化硅外延设备。

2022年8月25日  全球的器件制造商正在加强碳化硅（SiC）的制造，增长将在2024年开始真正起飞。 自特斯拉和意法半导体在Model 3中使用碳化硅以来，已经过去了近五年时间。现在，没有人怀疑电动汽车的市场拉动力，但消费者仍然在吵着要更好的续航能力和更快的充电。

2024年3月12日  苏州优晶半导体科技股份有限公司是一家专注于大尺寸（6英寸及以上）导电型碳化硅晶体生长设备研发、生产及销售的高新技术企业。公司经多年努力研发电阻法碳化硅晶体生长设备及工艺，于2019年成功研制出6英寸电阻法碳化硅单晶生长设备，经持续工艺优化，目前已推出至第四代机型⸺UKING ERH

2022年4月24日  1995 年沈阳星光技术陶瓷有限公司从德国 FCT 公司引进技术和设备，在国内开始了重结晶碳化硅陶瓷材料的制造。 1996 年德国 FCT 公司又在唐山投资设厂成立唐山福赛特（FCT）技术陶瓷工业有限公司生产重结晶碳化硅产品 [27] 。

2023年11月20日  11月16日，江苏集芯先进材料有限公司（以下简称“集芯先进”）一期年产15万片碳化硅衬底片制造基地搬入首批生产设备。 10月14日，在2023中国徐州第二十六届投资洽谈会综合投资推介会上，徐州高新区共签约5个项目，其中包括集芯先进材料项目。

3 天之前  三种碳化硅外延生长炉的差异 热壁水平卧式CVD、温壁行星式CVD以及准热壁立式CVD是现阶段已实现商业应用的主流外延设备技术方案，三种技术设备也有各自的特点，可以根据需求进行选择，其结构示意如下图所示： 热壁水平式CVD系统，一般为气浮驱动旋转

2023年4月26日  1）碳化硅切割设备方面：国内首款高线速碳化硅金刚线切片机 GCSCDW6500可获得和砂浆切割相同的晶片质量，同时大幅提升切割效率， 显著降低生产成本，行业内独家实现批量销售，实现国产替代，同时公 司已推出适用于 8 寸碳化硅衬底切割的碳化硅金刚线

2023年11月18日  碳化硅材料主要包括单晶和陶瓷2大类，无论是作为单晶还是陶瓷，碳化硅材料目前已成为半导体、新能源汽车、光伏等三大千亿赛道的关键材料之一。 例如： 单晶 方面，碳化硅作为目前发展最成熟的第三代半导体材料，可谓是近年来最火热的半导体材料

2023年10月27日  碳化硅功率器件与传统硅功率器件制作工艺不同，不能直接制作在碳化硅单晶材料上，必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，并在外延层上制造各类器件。碳化硅一般采用PVT方法，温度高达2000多度，且加工周期比较长，产出比较低，因而碳化硅衬底的成本是非常高的。

2024年2月29日  晶体生长 SiC晶体生长是SiC衬底生产的核心工艺，核心难点在于提升良率。 目前SiC晶体的生长方法主要有物理气相传输法 (Physical Vapor Transport Method, PVT法)、高温化学气相沉积法 (High Temperature Chemical Vapor Deposition, HTCVD法)、液相法 (Liquid Phase Epitaxy)等。 物理气相

2023年11月16日  碳化硅器件制造环节与硅基器件的制造工艺流程大体类似，主要包括光刻、清洗、掺杂、蚀刻、成膜、减薄等工艺。 碳化硅材料的特殊性质决定其器件制造中某些工艺需要依靠特定设备进行特殊开发，以促使碳化硅器件耐高压、大电流功能的实现。

中国，上海—2024年3月20日，半导体行业盛会 SEMICON China 2024启幕，全球高端半导体设备制造商德国PVA TePla集团再次亮相，并向行业展示其最新打造的国产碳化硅晶体生长设备“SiCN”。该设备专为中国市场定制，并结合半导体行业生产特点

2024年2月28日  碳化硅烧结炉为烧结碳化硅生产过程中使用的重要设备。 在行业发展初期，受技术壁垒高、生产成本高等因素限制，我国碳化硅烧结炉高度依赖进口。 日本岛津制作所（SHIMADZU）、德国纳博热工业炉有限公司（Nabertherm）等为我国主要供应商。

2023年11月20日  11月16日，江苏集芯先进材料有限公司（以下简称集芯先进）一期年产15万片碳化硅（SiC）衬底片制造基地搬入首批生产设备。 资料显示，集芯先进成立于2019年，专注于第三代半导体SiC材料研发与制造，集芯先进前身系江苏集芯半导体硅材料研

2024年3月22日  打造首款国产碳化硅晶体生长设备 在中国， 电动汽车 和诸多新兴行业的蓬勃发展为碳化硅衬底材料带来广阔机遇。 碳化硅半导体材料的生产技术日渐成熟稳定，并已形成相当的工业规模。 作为最早将碳化硅晶体设备引入中国市场的企业之一，德国PVA

碳化硅素生产设备 上海破碎机厂家微波在化工行业的设备主要应用于木材玻璃纤维化工原材料草酸钴行维素甘露醇氢氧化镍钴酸锂石墨炭刷碳化硅二水氯化钙活化碳等的粉状与颗粒状的干燥微波催化反应有机合成反应微波马弗炉微波橡胶硫化等。微波是

2024年1月12日  日本晶圆设备制造商DISCO于2023年12月推出全新的SiC(碳化硅)切割设备，可将碳化硅晶圆的切割速度提高10倍，首批产品已交付客户。 由于碳化硅的硬度仅次于金刚石和碳化硼，硬度是硅的18倍，因此 登录｜注册 首页 热门 专栏作家 电子产业热词

2022年12月15日  在外延设备方面，晶盛机电表示，公司生产的SiC碳化硅外延设备 为公司独立研发设计和生产制造，核心技术均拥有独立的知识产权，目前已实现批量销售。 季华实验室也在4月表示，由季华实验室大功率半导体研究团队自主研发的6英寸SiC高温外延

2023年4月19日  中国电科：国产碳化硅器件和设备取得突破 导读： 近日中国电科公布一系列成果，显示在国产碳化硅（SiC）设备及器件上取得突破。 图：中电科55所生产线 4月17日，中国电科宣布旗下55所与一汽联合研发的首款 750V碳化硅功率芯片 完成流片，首款 全国产1200V

43 露笑科技：碳化硅布局国内领先，定增扩产 24 万片导电型衬底产能 公司成立于 2003 年，为国内最大的专业漆包线生产商之一、及国内领先的蓝宝石长 晶炉生产厂商。依托于蓝宝石业务的积累，向碳化硅“设备——衬底——外延”的 全产业链延伸。