2023年8月16日  1 碳化硅简介 碳化硅，化学式为SiC，是一种无机物，由硅和碳相键结而成的陶瓷状化合物。 碳化硅在自然界以莫桑石这种稀有的矿物的形式存在，但大部分碳化

2024年1月2日  碳化硅 性质 可信数据 高纯碳化硅为无色透明结晶或无定形粉末，含杂质的碳化硅为绿色，固溶有炭和金属氧化物杂质则呈黑色。 在常压下2500℃时发生分解。

2018年6月29日  碳化硅杂质原子及电离能 作者：海飞乐技术 时间： 15:00 杂质碳化硅中的杂质原子一般以替换硅或碳原子的替位方式存在。 其中，氮、磷等原子一般只替代碳，铝原子只替代硅，而硼原子则既

2021年11月17日  实验结果表明，Acheson法制备的SiC粉体中O、游离Si、游离C、Fe杂质含量较高，其他微量杂质元素含量顺序为：Ti>Al>Ni> V此外，O杂质主要以非晶SiO 2

2023年6月3日  使用 重点摘要 常见问题 碳硼钙石的地质构造 碳化硅或碳化硅不是天然存在的矿物。 它是通过工业过程生产的合成化合物。 然而，碳化硅确实有通过地质过程形

2022年4月24日  分享 摘要： 碳化硅陶瓷材料具有良好的耐磨性、导热性、抗氧化性及优异的高温力学性能，被广泛应用于能源环保、化工机械、半导体、国防军工等领域。 然而，由于碳化硅为强共价键化合物，且具有低

摘要: 碳化硅具有强度大、硬度高、弹性模量大、耐磨性好、导热性强和耐腐蚀性好等优异性能，被广泛地应用于磨料磨具、陶瓷、冶金、半导体、耐火材料等领域。 常用的制备碳

2019年4月16日  首先是碳化硅的酸洗。酸洗通常是在加热的条件下用硫酸对碳化硅颗粒进行处理。其主要目的是为了去除碳化硅中的金属铁，氧化铁，镁，铝等杂质。其次是碳化硅的碱洗。碳化硅的碱洗通常也是在加热碳化硅的过程中，用氢氧化纳对碳化硅颗粒进行处理。

2023年8月23日  晶界缺陷与杂质： 挑战： 在碳化硅制备过程中，晶界缺陷和杂质可能会影响材料的性能和稳定性。这些缺陷和杂质可能导致电子和热传导性能下降，从而影响应用效果。解决方案： 通过优化制备工艺和材料处理步骤，可以减少晶界缺陷和杂质的形成。

2024年1月26日  半导体碳化硅(SiC)是一种Si元素和C元素以1:1比例形成的二元化合物，即百分之五十的硅（Si）和百分之五十的碳（C），其基本结构单元为 SiC 四面体。而碳化硅(SiC)晶体，就是由碳原子和硅原子有序排列而成。选择碳

2023年10月30日  SiC碳化硅器件是指以碳化硅为原材料制成的器件，按照电阻性能的不同分为导电型碳化硅功率器件和半绝缘型碳化硅基射频器件。导电型碳化硅功率器件主要是通过在导电型衬底上生长碳化硅外延层，得到碳化硅外延片后进一步加工制成，品种包括肖特基二极管、 MOSFET、IGBT等，主要用于电动汽车

2023年10月27日  碳化硅晶体生长的过程中会不可避免地产生缺陷、引入杂质，导致质量和性能不足，而外延层的生长可以消除衬底中的某些缺陷，使晶格排列整齐。 外延厚度越大（难度越大），能承受的电压越高，一般100V电压需要1μm厚度外延，600V需要6μm，12001700V需要1015μm，15000V则需要上百微米（约150μm）。

2023年10月27日  生长 SiC 单晶用的 SiC 粉体纯度要求很高，其中杂质含量应至少低于 0． 001% 。 在众多 SiC 粉合成方法中，气相法通过控制气源中的杂质含量可以获得纯度较高的 SiC 粉体; 液相法中只有溶胶凝胶法可以合成纯度满足单晶生长需要的 SiC 粉体; 固相法中的

2022年4月24日  国内外碳化硅陶瓷材料研究与应用进展 李辰冉;谢志鹏;康国兴;安迪;魏红康;赵林 分享 摘要： 碳化硅陶瓷材料具有良好的耐磨性、导热性、抗氧化性及优异的高温力学性能，被广泛应用于能源环保、化工机械、半导体、国防军工等领域。 然而，由

碳化硅 碳化硅（SiC）是一种由硅（Si）和碳（C）元素组成的化合物。 其化学式为 SiC，一般来说，碳化硅是由碳和硅以 1:1 的比例结合而成。 纯碳化硅通常是一种透明晶体；但在工业应用中，碳化硅中的杂质可能会导致颜色的变化，例如常见的碳化硅钙化现象。

2021年7月21日  碳化硅，第三代半导体时代的中国机会 5G通信、电动汽车等新兴产业对碳化硅材料将产生巨大需求，大力发展碳化硅产业，可引领带动原材料与设备两个千亿级产业，助力我国加快向高端材料、高端设备制造业转型发展的步伐。 今年发布的“‘十四五’规划和

2024年2月29日  晶体生长 SiC晶体生长是SiC衬底生产的核心工艺，核心难点在于提升良率。 目前SiC晶体的生长方法主要有物理气相传输法 (Physical Vapor Transport Method, PVT法)、高温化学气相沉积法 (High Temperature Chemical Vapor Deposition, HTCVD法)、液相法 (Liquid Phase Epitaxy)等。 物理气相

本发明公开一种降低碳化硅粉体中氮杂质含量的方法,属于晶体生长领域,该方法采用了高温时与氮元素发生化学反应的除氮物质,所形成的氮化物在碳化硅合成温度范围内以稳定的形态存在,有效避免氮杂质进入碳化硅晶格中,突破了目前传统的碳化硅原料合成方式

2022年4月18日  碳化硅在某些条件下具有导电能力，但在其他条件下不能导电，这取决于 红外辐射 、可见光和紫外线的电压或强度等因素。 与其他材料不同，碳化硅能够在很宽的范围内控制器件制造所需的 P 型和 N 型区

2020年12月7日  碳化硅简介 SiC晶型有α和β两种形式，反映温度低于1600℃时，反应产物则以βSiC形式存在；反映温度高于1600℃时，βSiC逐渐转变成αSiC的各种多型体，反映温度2400℃时，则会完全转变成αSiC。 SiC以原料C、SiO2、NaCl和木屑，高温冶炼而成，其反应法程式为

2024年1月23日  SiC中不同退火温度下，不同元素的电激活率 对于P型的离子注入工艺，由于硼元素的异常扩散效应，一般都使用铝元素作为掺杂剂。 和N型注入类似，当退火温度达到1600℃，可以显著提高铝元素的激活率。 但Negoro等人研究发现，即使在500℃下高温离

2021年9月8日  什么是碳化硅，碳化硅主要成分和用途 巩义丰泰耐材 主营：金刚砂 人造磨料 天然磨料 碳化硅是由硅与碳元素以共价键结合的非金属碳化物，硬度仅次于金刚石和碳化硼。 化学式为SiC。 无色晶体，外表氧化或含杂质时呈蓝黑色。 具有金刚石结构的碳化硅

1 天前  德国标准化学会 ，关于碳化硅中杂质的标准 DIN 51088:2007 陶瓷原料和基本材料的测试用发射光谱测定分析和直流电弧中的激励测定碳化硅粉末和颗粒碳化硅中金属微量杂质的质量分率 DIN EN 15979:201104 陶瓷原材料和基础材料的检测 直流电弧激励OES直接测

2019年10月9日  碳化硅（SiliconCarbide）是C元素和Si元素形成的化合物。 自然界中也存在天然SiC矿石（莫桑石），然而因其极其罕见，仅仅存在于年代久远的陨石坑内，所以市面上的碳化硅绝大多数都是人工合成物。 纯的SiC晶体是无色透明物，工业生产出的碳化硅由

2022年12月1日  1 PVT法生长碳化硅晶体 1955年，Lely等首次提出了一种用于制备碳化硅晶体的升华技术，自此开启了碳化硅材料制备及器件制造的新局面。 遗憾的是，由于该方法所得晶体尺寸有限、形状不规则且容易包含多种晶型，难以应用于实际器件制造中。

2022年5月28日  在碳化硅中，铝杂质常用来调控碳化硅的宏观电学特性。 带负电的铝杂质在碳化硅中引入大量空穴，实现了P型碳化硅的制备。 然而，科研人员发现在碳化硅掺铝的过程中无意形成了大量带正电的碳空位，它们能影响碳化硅材料整体的电学性能，制约P型碳化硅电阻率的降低。

碳化硅雜质 T10:09:50+00:00 碳化硅材料：特性、应用与未来前景探析 知乎 2023年8月23日 晶界缺陷与杂质： 挑战： 在碳化硅制备过程中，晶界缺陷和杂质可能会影响材料的性能和稳定性。这些缺陷和杂质可能导致电子和热传导性能下降，从而影响

2020年6月10日  碳化硅是用天然硅石、碳、木屑、工业盐作基本合成原料，在电阻炉中加热反应合成。 其中加入木屑是为了使块状混合物在高温下形成多孔性，便于反应产生的大量气体及挥发物从中排除，避免发生爆炸，因为合成IT碳化硅，将会生产约14t的一氧化碳 (CO

其中,杂质含量少的呈绿色,被称为绿色碳化硅;杂质含量多的呈黑色,被称为黑色碳化硅)。 采用该方法生产的也可称为高温法碳化硅,它的相为αSiC。 用此方法生产的碳化硅如果要用到陶瓷生产中,还需经过粉碎与提纯处理,达到所需的纯度与粒度后方能使用。

2017年11月7日  碳化硅是由硅与碳元素以共价键结合的非金属碳化物，硬度仅次于金刚石和碳化硼。化学式为SiC。无色晶体，外表氧化或含杂质时呈蓝黑色。具有金刚石结构的碳化硅变体俗称金刚砂。金刚砂的硬度挨近金刚石，热安稳性好，2127℃时由β碳化硅转变成α碳化硅，α碳化硅在2400℃依然安稳。

2021年1月30日  4）碳化硅托盘：金属杂质 少，耐浓硫酸、浓硝酸腐蚀； 5）碳化硅悬臂桨：金属杂质少，耐浓硫酸、浓硝酸腐蚀； 6）碳化硅气浮运动平台：碳化硅气浮运动平台硬度仅次于金刚石，长期使用不变形，热膨胀系数40，耐磨损，长期使用精度高

2023年6月3日  天然碳化硅的地质形成涉及以下过程： 变质 ：碳化硅在变质过程中的高温高压条件下形成。 变质作用发生在预先存在的情况下 岩石 在地壳深处或在构造事件期间受到强烈的热量和压力，例如 山 建造。 富碳环境 ：碳化硅的形成需要富含碳的环境。 碳质

工业用碳化硅通常含有2%左右的杂质，其中主要有 二氧化硅、硅、铁、铝、钙、镁及碳。根据碳化硅的色泽及主要用途，碳化硅的分类大致如下：黑色碳化硅，代号TH，主要用于 研磨材料 和 耐火材料；绿色碳化硅，代号TL，用于研磨材料和耐火材料，也可用来制造电阻元件(如硅碳棒)等；矾土碳化硅

2024年1月2日  干货丨碳化硅离子注入和退火工艺介绍 传统的硅功率器件工艺中，高温扩散和离子注入是最主要的掺杂控制方法，两者各有优缺点。 一般来说，高温扩散工艺简单，设备便宜，掺杂分布轮廓为等向性，且高温扩散工艺引入的晶格损伤低。 离子注入工艺复杂且

2023年6月22日  碳化硅是怎么制成的？ 最简单的碳化硅制造方法是在高达 2500 摄氏度的高温下熔化硅砂和碳（例如煤）。颜色更深、更常见的碳化硅通常包含铁和碳杂质，但纯 SiC 晶体是无色的，是碳化硅在 2700 摄氏度升华时形成的。

碳化硅单晶生长第一步，要纯! 2024/02/28 点击 2074 次 中国粉体网讯 近年来，制备高纯SiC粉料逐渐成为SiC单晶生长领域的研究热点。生长SiC单晶用的SiC粉体纯度要求很高，杂质含量应至少低于0001%，此外，碳化硅粉料的各项参数都直接影响

2023年11月18日  碳化硅材料主要包括单晶和陶瓷2大类，无论是作为单晶还是陶瓷，碳化硅材料目前已成为半导体、新能源汽车、光伏等三大千亿赛道的关键材料之一。 例如： 单晶 方面，碳化硅作为目前发展最成熟的第三代半导体材料，可谓是近年来最火热的半导体材料

2019年10月10日  出口碳化硅分析方法 碳化硅含量的测定 23 术语及定义 GB/T 14264、GB/T 22461 界定的以及下列术语和定义适用本文件。 24 方法原理 该部分内容对应《标准》的第 4 章内容，详细阐述了二次离子质谱仪检测半导体碳化硅 材料中的痕量杂质铝、钒浓度

2005年3月19日  与杂质的离化程度有着密切的联系0如果像,1 和 IJKD那样在常温下认为杂质全部离化，势必给用常 规的器件模型来分析,12 器件的特性带来误差0所 以杂质的离化率"是必须考虑的问题0由于碳化硅 具有特殊的晶格结构，当杂质位于不同的晶格点时

2024年1月2日  碳化硅 性质 高纯碳化硅为无色透明结晶或无定形粉末，含杂质的碳化硅为绿色，固溶有炭和金属氧化物杂质则呈黑色。 在常压下2500℃时发生分解。 相对密度320～3 25,介电常数70，室温下电阻率102M．cm。 碳化硅的硬度很高，莫氏硬度为92～95，但比金刚石

2023年3月22日  碳化硅是一种化合物，由碳和硅元素组成，化学式为SiC 。它是一种耐高温、硬度高、抗腐蚀、耐磨损的陶瓷材料，也被广泛应用于电子器件和光学器件中。作为陶瓷材料 高硬度：碳化硅具有很高的硬度，约为金刚石的80%，能够很好地抵抗磨损和

2023年6月12日  当碳化硅器件工艺线与硅器件工艺线共用时，为 避免金属污染对硅器件性能造成不利影响，碳化硅产业链不同阶段产品（如衬底、外延、芯片、器件） 表面的痕量杂质元素浓度表征至关重要。电感耦合等离子体质谱仪(ICPMS)是检测材料痕量杂质元素

2016年4月12日  在碳化硅的研究与发展中，国内外正在逐渐完善对它的了解和应用，但是对于碳化硅在实际中的应用目前还没有做出具体且详细的阐述。碳化硅的研究在未来的发展和应用及碳化硅材料的应用领域等。本论文就碳化硅的研究与发展做一个全面综合的探讨与概述。

纯碳化硅是无色透明的晶体。工业碳化硅因所含杂质的种类和含量不同，而呈浅黄、绿、蓝乃至黑色，透明度随其纯度不同而异。碳化硅晶体 结构分为六方或菱面体的 αSiC和立方体的βSiC(称 立方碳化硅)。αSiC由于其晶体结构中碳和硅原子的堆垛序列不同而构成许多不同变体，已发现70余种。

2023年9月16日  结论 总的来说，高纯度碳化硅粉末由于其优异的物理和化学性质，在许多领域都有广泛的应用。 随着科技的发展和市场需求的增长，我们期待看到更多关于高纯度碳化硅粉末的创新应用。 希望这篇文章能帮助大家更好地理解高纯度碳化硅粉末的重要性和应

2019年9月5日  第三代半导体发展之碳化硅（SiC）篇 在功率半导体发展历史上，功率半导体可以分为三代： 第一代半导体材料：锗、硅等单晶半导体材料，硅拥有11eV的禁带宽度以及氧化后非常稳定的特性。 第二代半导体材料：砷化镓、锑化铟等化合物半导体材料，砷