碳化硅砂轮的制造工艺： 碳化硅砂轮的生产过程一般包括以下几个阶段，但各生产商的具体步骤可能会根据技术和产品要求略有不同： 原材料制备： 通过高纯度二氧化硅和石墨的

2023年12月1日  碳化硅SBD与MOSFET的基本制造方法相同，SBD结构简单、制造工艺相对简单，MOSFET的制造工艺相对复杂，以结构最简单的横向、平面型MOSFET为例说明

2023年10月27日  碳化硅功率器件与传统硅功率器件制作工艺不同，不能直接制作在碳化硅单晶材料上， 必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料 ，并在外延层上制造

2022年5月20日  常用的制备碳化硅粉体方法有碳热还原法、机械粉碎法、溶胶– 凝胶法、化学气相沉积法和等离子体气相合成法等等。 本文对SiC粉体的制备、碳化硅陶瓷烧结技

2023年6月22日  碳化硅是怎么制成的？ 最简单的碳化硅制造方法是在高达 2500 摄氏度的高温下熔化硅砂和碳（例如煤）。颜色更深、更常见的碳化硅通常包含铁和碳杂质，但纯

2020年2月18日  磨料磨具 主要用于制作砂轮、砂纸、砂带、油石、磨块、磨头、研磨膏及光伏产品中单晶硅、多晶硅和电子行业的压电晶体等方面的研磨、抛光等。 化工 可用做

2021年8月20日  金属加工 热膨胀系数 碳化硅在不同行业有多种用途。 其物理硬度使其非常适合用于磨削加工工艺，如磨削、珩磨、喷砂和水射流切割。 碳化硅能够承受非常高

2021年12月24日  加工工艺 碳化硅 我想了解一下碳化硅的生产工艺？ 因为以后要用到大量的这种材料因此想了解一下这种材料的生产工艺。 比如，当前主流的生产工艺是什么？

2023年8月8日  碳化硅功率器件与传统硅功率器件制作工艺不同，不能直接制作在碳化硅单晶材料上，必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，并在外延层上制造各

2023年11月18日  常见的磨削机床包括平面磨床、外圆磨床、内圆磨床等。这些机床通过磨削轮具和工件间的相对运动，实现碳化硅制品的加工和修整；磨削轮具是用于对碳化硅制品进行磨削的工具，通常由磨粒、结合剂和孔径组成。

2022年11月23日  1本实用新型涉及碳化硅衬底片加工技术领域，具体涉及一种碳化硅衬底片用减薄磨轮。背景技术： 2现有技术中，碳化硅衬底片的减薄方式，主要分为磨轮减薄以及双面研磨减薄这两大类，其中磨轮减

2024年1月10日  权利要求书1页说明书2页附图1页CN一种碳化硅晶圆背面减薄的制作方法，包括如下步骤： (1)在已完成正面工艺加工的碳化硅晶圆的背面上采用离子注入工艺，形成预刻蚀注 (2)在预刻蚀注入层采用激光退火工艺进行氧化，形成氧化层； (3)在整个

2023年4月29日  一种碳化硅VNotch槽磨削加工用砂轮架结构的制作方法 本技术属于磨削加工装置，具体涉及一种碳化硅vnotch槽磨削加工用砂轮架结构。 背景技术： 1、磨削是碳化硅晶锭加工的工序之一，如图4所示，碳化硅晶锭4在外圆磨圆后，则要加工vnotch槽41，用

2024年2月29日  碳化硅（SiC），通常被称为金刚砂，是唯一由硅和碳构成的合成物。虽然在自然界中以碳硅石矿物的形式存在，但其出现相对罕见。然而，自从1893年以来，粉状碳化硅就已大规模生产，用作研磨剂。碳化硅在研磨领域有着超过一百年的历史，主要用于磨轮和多种其他研磨应用。

2024年3月30日  1一种基于金刚石衬底的平面栅碳化硅MOSFET的制作方法 ，其特征在于，包括： 步骤1、在金刚石衬底上外延生长碳化硅外延层，所述金刚石衬底的掺杂浓度为2× 16‑316‑3 10cm~6×10cm； 步骤2、在碳化硅外延层上形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成通孔

2020年2月25日  本发明涉及功率电子器件封装技术领域，特别是一种碳化硅功率模块的封装结构和制作方法。背景技术电力电子技术的发展总是朝着更高的效率，更高的功率密度以及更高的集成度发展。如今，宽禁带功率半导体功率器件相对于传统硅基功率半导体器件来说，具有更小的体积，更低的导通损耗，更高

2023年6月22日  SiC 能够很好地满足高电压需求。 碳化硅有可能通过提高整体系统效率来增加电动汽车的行驶里程，特别是在逆变器系统中，即增加汽车的整体节能效果，同时减少电池管理系统的尺寸和重量。 高盛投资公司甚至预测，在电动汽车中使用碳化硅可以将电动汽

2021年7月16日  1本实用新型涉及碳化硅晶体制造技术领域，尤其涉及一种碳化硅晶体平面打磨标记卡片。 2现有碳化硅晶体在磨平圆柱体上下端面时，需要在端面保留晶体的部分原有表面，但晶体跟随工作台在持续的左右摆动，晶体上方一直有冷却液喷淋，人员在机床加工

该领域下的技术专家 如您需求助技术专家，请点此查看客服进行咨询。 1、陈老师：1植物蛋白（玉米蛋白、大豆蛋白）凝聚机制及植物蛋白基质生物材料（组织支架）的制备技术 2农产副产物（米糠、豆渣）的高值化利用技术 3高湿物料（豆渣、果蔬渣）挤压爆破粉碎、干燥一体化加工技术及

2016年9月28日  一种用于碳化硅生产的料浆沉降罐的制作方法 【专利摘要】一种用于碳化硅生产的料浆沉降罐，罐体的顶部和底部最低处分别设置有料浆进入口和料浆排出口，罐体上方有可升降搅拌装置，该可升降搅拌装置包括由龙门架固定的两根竖直螺杆，螺杆的顶部通过带轮与提升电机传动连接，在两根螺杆

2023年5月10日  2、本发明的技术解决方案是：本发明提供一种激光减薄的碳化硅晶圆背面工艺，包括如下具体步骤， 3、步骤一：在sic晶圆正面通过键合胶键合一层玻璃片，用于保护正面的器件结构； 4、步骤二：利用激光在sic晶圆背面的特定深度形成角质层点平

2023年10月27日  碳化硅功率器件与传统硅功率器件制作工艺不同，不能直接制作在碳化硅单晶材料上，必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，并在外延层上制造各类器件。碳化硅一般采用PVT方法，温度高达2000多度，且加工周期比较长，产出比较低，因而碳化硅衬底的成本是非常高的。

2021年10月30日  1本实用新型涉及陶瓷制造技术领域，尤其是涉及一种用于碳化硅材料平面加工治具。背景技术： 2碳化硅材料(cvd sic)涂层被广泛应用于碳碳复合材料、碳陶复合材料、石墨、以及高温结构件、耐腐结构件等。 sic涂层主要制备方法主要包括料浆法、包埋法、液相反应法和气相沉积法等。

2021年6月10日  2、OSFET元胞结构及制作 方法 (57)摘要 本发明公开了一种碳化硅平面栅MOSFET元 胞结构， 自下而上覆盖有碳化硅外延层、 栅电极 及层间介质层。

2013年9月25日  1 反应烧结碳化硅悬臂桨的制作方法，其特征在于，包括以下步骤 ： （1）制作碳化硅悬臂桨固定区的挤出成型模具 ：所述挤出成型模具的形状与所述固定 区的形状相对应 ； （2）挤出固定区管坯并分断切割 ：将所述挤出成型模具安装在挤出机的机

2023年12月1日  半导体碳化硅（SIC）功率器件的制造； 01 芯片制造 碳化硅SBD与MOSFET的基本制造方法相同，SBD结构简单、制造工艺相对简单，MOSFET的制造工艺相对复杂，以结构最简单的横向、平面型MOSFET为例说明如下： （1）图形化氧化膜。 清洗晶圆，制作一层氧化硅（SiO2

铝基碳化硅平面 研磨工艺流程一般包括以下几个步骤： 1原材料准备：准备好待研磨的铝基碳化硅衬底材料。 2粗磨：将待研磨的衬底材料放置在磨料上，使用磨砂纸、研磨片等粗磨工具对衬底进行粗磨。磨砂纸和研磨片的粒度根据要求选择合适的大小

2023年6月28日  技术实现思路 1、本发明克服了现有技术的不足，提出一种降低碳化硅外延基平面位错的方法；解决外延后晶圆中心的基平面位错密度较高，外延过程中心基平面位错转化率低的问题。 2、为了达到上述目的，本发明是通过如下技术方案实现的。 3、一种降低

2021年4月21日  1本实用新型涉及黑碳化硅页轮技术领域，尤其涉及一种便于更换的黑碳化硅页轮。背景技术： 2碳化硅页轮是以碳化硅为原料制作而成的圆筒形打磨砂轮，使用时用法兰牢固的夹持在磨床主轴上，通过电机带动主轴旋转，主轴带动页轮旋转对工件进行打磨，页轮在对工件进行打磨时自身难免会受到

2020年1月3日  本实用新型涉及流体泵技术领域，尤其是一种碳化硅泵轮。背景技术碳化硅泵轮是和电动机轴连接的主动轴上的工作轮，其功用是将输入的机械功转换为工作液体的动能，即相当于离心泵叶轮。其对能量转化的效率主要取决于结构的设置，因此，发明一种效率更高的碳化硅泵轮显得尤为重要。实用

碳化硅嵌入式电极平面型光导开关及其制作方法 [0001]本发明属于微电子领域，尤其涉及一种电极平面型光导开关，可用于高速大功率脉冲系统中的开关。 [0002]1974年由贝尔实验室的DHAuston制备了第一个光导开关，材料采用高阻Si，但Si禁带宽度小，临界击穿场强

2022年6月8日  具有波形沟道区域的碳化硅平面mosfet 技术领域 1本公开涉及碳化硅功率半导体设备。 更具体地说，本发明涉及能够承受高电压的平面碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)设备结构和布局。

碳化硅mosfet器件及其制作方法 【技术领域】 [0001]本发明涉及自对准碳化硅MOSFET器件及其制作工艺，尤其涉及一种优化P+区域的自对准碳化硅MOSFET器件及其制作方法。 【背景技术】 [0002]碳化硅材料具有优良的物理和电学特性，以其宽的禁带宽度、高的热导率

07:00 原标题：平面型 OR 沟槽型？ 碳化硅（SiC）MOSFET的未来发展方向，谁具有话语权？ 由于SiC MOSFET具有取代现有的硅超级结（SJ）晶体管和集成栅双极晶体管（IGBT）技术的潜力，因此受到了特别的关注。 2010年以来，碳化硅功率MOSFET市

2024年2月2日  半导体碳化硅（SiC）功率器件技术进展及趋势分析的详解； 根据器件集成度不同, SiC功率半导体可分为IC和功率分立器件;根据载流子类型,可分为单极型 (如MOSFETSBD二极管)和双极型 (如PiN二极管、IGBT、 BJT、GTO) ;根据功能不同,可以分为二极管和晶体管; 目前,SiC分立

2015年4月22日  为实现碳化硅单晶从晶体到晶片的批量、稳定生产，多线切割是必不可少的工艺流程，多线切割工艺会显著影响切割片的质量。碳化硅切割片的质量(表面锯纹情况、厚度偏差、切割片偏角度)会对碳化硅单晶晶体的晶片产出数量、EP1ready(开盒即用)晶片的质量产生显著影响。多线切割用槽轮(roller)是

2024年2月6日  2月3日消息，据国家知识产权局公告，北京大学申请一项名为“一种碳化硅平面栅MOSFET器件及其制备方法“，公开号CNA，申请日期为2023年12月。 专利摘要显示，本发明公开了一种碳化硅平面栅MOSFET器件及其制备方法。 在传统平面栅MOSFET器件的JFET区结构上

2021年10月30日  一种用于碳化硅材料平面加工治具的制作方法 1本实用新型涉及陶瓷制造技术领域，尤其是涉及一种用于碳化硅材料平面加工治具。 2碳化硅材料 (cvd sic)涂层被广泛应用于碳碳复合材料、碳陶复合材料、石墨、以及高温结构件、耐腐结构件等。 sic涂层主

2023年12月18日  其实，这是一家由海外和国内技术团队成立的，主攻68英寸碳化硅衬底的研发与产业化的企业。超芯星的成立，源于创始人刘欣宇对碳化硅的坚持与热爱。2001年刘欣宇赴欧深造，在国外企业及高校深耕碳化硅晶体生长的研究，并实现产业化及产品的全球销

2022年5月11日  一种感应加热外延设备的制作方法 1本发明涉及外延生长设备技术领域，特别涉及一种感应加热外延设备，包含但不限于碳化硅外延反应腔室。 2碳化硅半导体具有大禁带宽度、优良的稳定性、高热导率、高临界击穿场强、高饱和电子漂移速度等优良特

2023年10月30日  SiC碳化硅器件是指以碳化硅为原材料制成的器件，按照电阻性能的不同分为导电型碳化硅功率器件和半绝缘型碳化硅基射频器件。导电型碳化硅功率器件主要是通过在导电型衬底上生长碳化硅外延层，得到碳化硅外延片后进一步加工制成，品种包括肖特基二极管、 MOSFET、IGBT等，主要用于电动汽车

2014年3月1日  用途： 适合磨削、抛光抗张强度低、性脆的金属或非金属 有效期： 长期有效 立即询盘 详情说明 碳化硅平面轮 用途： 适合磨削、抛光抗张强度低、性脆的金属或非金属。如灰铸铁、玻璃、陶瓷、石材、硬质合金、玛瑙等同时 也广泛用于量具

2022年11月22日  一种新型碳化硅平面式功率mosfet器件 技术领域 1本实用新型属于电子元器件领域，特别涉及一种新型碳化硅平面式功率mosfet器件。 背景技术： 2随着全球对节能减碳的要求越来越严格，功率组件也开始广泛的使用起所谓的第三代宽能隙材料。 相对于传统的纯硅组件，宽能隙材料能够大幅降低组件的

2021年11月5日  57图1为本发明一实施例的碳化硅平面栅mosfet的制备方法的流程示意图。如图1所示，该碳化硅平面栅mosfet的制备方法包括以下步骤。58步骤s1：于一碳化硅基板内形成自对准的jfet区与阱区。59步骤s2：于所述阱区内形成自对准的源区与沟道区。

技术方案：为实现本发明的目的，本发明所采用的技术方案是：一种降低碳化硅外延基平面位错密度的方法，包括以下步骤： (1)将碳化硅衬底置于碳化硅外延系统反应室内的石墨基座上； (2)采用氩气对反应室气体进行多次置换，然后向反应室通入氢气，逐渐

2023年12月18日  量产沟槽碳化硅厂商的做法 量产碳化硅沟槽结构的厂商认为，相比平面型结构，沟槽型碳化硅MOSFET在成本和性能方面都具有较强优势。罗姆是率先转向沟槽MOSFET的公司，而英飞凌并没有选择进入平面结构市场，而是直接选择了沟槽结构。

2014年4月9日  1一种碳化硅超硬材料高精度大平面的加工方法，其特征在于，以DMG超声波加工中心为机床，待加工工件面积在40000平方毫米以上，要求面形精度达到8微米以下，具体包括如下步骤: 第一步，选择刀刃为810mm宽的磨头，以小于3mm的步距和小

2023年10月31日  特思迪所处的第三代半导体作为产业自主创新发展和转型升级的重点核心材料和电子元器件，未来35年，产能预计较2022年将有10倍增长。特思迪的超精密平面加工设备在碳化硅领域已达到国内第一，看好其平面加工技术在化合物领域达到国际一流水平。

碳化硅嵌入式电极平面型光导开关及其制作方法 [0001]本发明属于微电子领域，尤其涉及一种电极平面型光导开关，可用于高速大功率脉冲系统中的开关。 [0002]1974年由贝尔实验室的DHAuston制备了第一个光导开关，材料采用高阻Si，但Si禁带宽度小，临界击穿场强